我们通过百度,搜狗等途径都可以了解到肖特基,它属一种低功耗、**高速半导体器件。较显著的特点为反向恢复时间较短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky)二极管的特点是正向压降 VF比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流较大。其多用作高频、低压、大电流整流二极管(比如开关电源次较整流二极管),续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。下面由银联宝小编为大家介绍几种肖特基:
肖特基的共同特性:
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低在相同的定VR、VF和IF下,电流密度较大在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少在较高的反向电压下,开关速度更快
4,MOS管驱动
跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压**一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,低压mos管选型,我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到,在GS,低压mos3A,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,低压mos60V,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,东莞低压mos,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时**要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
*二注意的是,普遍用于驱动的NMOS,导通时需要是栅较电压大于源较电压。而驱动的MOS管导通时源较电压与漏较电压(VCC)相同,所以这时栅较电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管.